Critiniアナリスト：SamsungおよびSK HynixはHBMハイブリッドボンディング導入のタイミングを再評価、技術移行が遅れる可能性

7月6日、Critini Researchのアナリスト・Jukanは、SamsungとSK HynixがHBMへのハイブリッドボンディング導入時期を再評価しており、HBM5でも実装されない可能性があると指摘しました。その主な理由は2つあります。1つ目は、JEDECがHBM5の厚さ基準を最大約1000μmまで緩和することを検討していることです（HBM3Eは720μm、HBM4は775μmまで緩和）。基準が緩和されることで、バンプ無しのハイブリッドボンディングによる薄型化のメリットが急務ではなくなっています。2つ目は、放熱のためのよりシンプルな代替策が登場していることです。SamsungはHeat Path Blockを開発し、SK HynixはiHBM（ICE HBM）を投入しており、どちらもHBMの隣に独立した放熱装置を配置する方式で、HBM5からの適用が予定されており、技術的難易度も低く商業化も安定しています。さらに、Nvidiaのような主要顧客も16層を超える高積層品を急いで求めているわけではなく、HBM4E段階でも12層品が主流となる見通しです。しかし、ハイブリッドボンディングの研究開発自体は停滞していません。現在、HBM4のI/O数は2048まで倍増しており、既存のTCサーマルコンプレッションボンディングプロセスは限界に近づいています。将来的にHBM5EフェーズでI/O数がさらに倍増し4096になる場合、バンプの横方向への拡散によりTCボンディングでは対応が困難となり、より高密度な接続を実現するためにハイブリッドボンディングの銅ダイレクトボンディングが不可欠となります。Jukanは、短期的には厚さや放熱のためのシンプルな解決策によりハイブリッドボンディングの大規模導入は進まないものの、中長期的にI/O密度が再び飛躍的に増加するタイミングでは不可避な方向性になると評価しています。これは、Besiのようなハイブリッドボンディング装置の主要サプライヤーの市場期待にも直接影響します。技術転換の遅延は、関連装置の大口受注の時期見直しを迫ることになります。