サムスン電子が業界最小の3D積層トランジスタを展示

Golden Ten Dataによると、6月17日、サムスン電子は業界最小の3Dスタック型トランジスターを実現しました。最近アメリカで開催されたVLSI 2026で、同社はゲート間隔42nmの3Dスタック型電界効果トランジスター（3DスタックFET）の実現における成果を披露しました。この技術はトランジスターを平面上に配置するのではなく垂直方向に積層するもので、システム半導体分野への応用が期待されています。