サムスン電子が次世代高帯域幅メモリの開発を加速、初のHBM4Eは5月に生産開始

金十2026/04/17 09:44

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金十データによると、4月17日、Samsung Electronicsは次世代の高帯域幅メモリ（HBM）製品の開発を加速しており、高級AIメモリ市場での優位性をさらに強化しようとしている。報道によれば、Samsung Electronicsは最も早ければ2026年5月にNVIDIAの基準を満たす最初のHBM4Eサンプルを生産する計画だという。業界関係者は、Samsungが明確で厳格なスケジュールを持っていると明かした。同社は来月中旬までにファウンドリ部門でHBM4Eコアロジックチップのサンプル生産に成功することを目指している。(ChosunBiz)

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