La tecnologia Hybrid Bonding di Samsung dovrebbe essere utilizzata nel prossimo acceleratore AI di nuova generazione di NVIDIA, Feynman, con il chip che presenterà HBM personalizzata.

BlockBeats News, 21 luglio: Samsung Electronics ha iniziato la costruzione della linea di produzione di massa per il Die-to-Wafer (D2W) hybrid bonding presso il suo stabilimento Pyeongtaek P5, mirando direttamente al packaging avanzato della prossima generazione di HBM e semiconduttori logici. Il principale fornitore di apparecchiature è la società olandese Besi. Samsung prevede di acquistare circa 50 macchine per il hybrid bonding, ciascuna dal valore di circa 60 miliardi di Won coreani (circa 43 milioni di dollari), ovvero il doppio del prezzo dei prodotti concorrenti. Tuttavia, a causa delle richieste di Samsung per modifiche personalizzate all’architettura dell’apparecchiatura, i negoziati stanno procedendo lentamente. Besi fornisce apparecchiature anche a TSMC e Micron, quindi sono cauti nel personalizzare le macchine esclusivamente per Samsung.

Samsung sta valutando anche soluzioni nazionali: la sua filiale SEMES ha completato lo sviluppo delle macchine D2W hybrid bonding e ha inviato campioni per la verifica all’inizio di quest’anno; Hanwha Semitech ha completato lo sviluppo della seconda generazione “SHB2 Nano” a febbraio e, ad aprile, ha inviato campioni a SK hynix. Il loro sistema cluster, che integra EFEM, attivazione al plasma e moduli di pulizia, ha creato un vantaggio competitivo distintivo.

Questa tecnologia utilizza il bonding ibrido del rame per sostituire il tradizionale bonding per termocompressione, consentendo il collegamento diretto del rame con il materiale dielettrico e accorciando significativamente la lunghezza dell’interconnessione. Lo scenario applicativo principale è l’HBM personalizzato, dove lo strato HBM DRAM viene impilato verticalmente su un die logico contenente circuiti di calcolo e IP del cliente per creare un package di sistema a livello 3D.

L’analista Citrini, Jukan, ha dichiarato che il hybrid bonding è previsto per l’uso nel prossimo acceleratore AI della NVIDIA, Feynman, che adotterà HBM personalizzati. La tempistica di implementazione della tecnologia è stata “posticipata rispetto all’HBM4E”. All’interno di Samsung, si stima che l’applicazione su larga scala possa essere realizzata intorno al 2029-2030, in linea con la finestra prevista per il Feynman di NVIDIA.