La bataille autour de HBM s'intensifie ! Samsung prévoit d'augmenter sa capacité de production en technologie 4 nanomètres, la pression concurrentielle s'accroît pour SK Hynix (SKHY.US) et Micron (MU.US).

Selon l’application Zhihui Finance, Samsung Electronics se prépare à augmenter sa capacité de production avancée dans la fonderie, en raison de la forte hausse de la demande pour la prochaine génération de puces mémoire, et fait fonctionner sa chaîne de production 4 nm à pleine capacité.

Cette initiative pourrait accentuer la concurrence avec SK Hynix (SKHY.US) et Micron (MU.US) — les trois géants de la mémoire se disputant des parts de marché dans le secteur florissant des puces AI.

Samsung augmente sa capacité mémoire

D’après les médias coréens, Samsung envisage d’élargir sa capacité de production de galettes 4 nm afin de soutenir la fabrication de puces de base (base die) HBM4. Les puces de base sont positionnées sous la pile de DRAM et relient la mémoire à l’accélérateur AI grâce à une couche logique.

Contrairement à SK Hynix qui utilise le procédé 12 nm de TSMC pour produire les puces de base HBM4, Samsung fabrique en interne ce composant en utilisant son procédé 4 nm.

Samsung a déjà attribué plus de la moitié de sa capacité actuelle en 4 nm à la production de puces de base HBM4. La demande provient également d’autres clients, notamment la Groq 3 LPU de NVIDIA, ce qui a amené Samsung à augmenter les prix des nouvelles commandes en 4 nm.

Accélération de la compétition sur le marché HBM

Cette extension de la production intervient alors que Samsung accélère la montée en puissance de ses capacités de production HBM4. L’entreprise prévoit que les revenus de HBM4 augmenteront de plus de trois fois au troisième trimestre par rapport au trimestre précédent, et que HBM4 représentera plus de 60 % de ses revenus HBM au second semestre.

La croissance de Samsung redéfinit déjà le paysage concurrentiel. Selon les données de Counterpoint, la part de revenus de Samsung sur le marché HBM est passée de 21 % au premier trimestre à 33 % au deuxième trimestre, tandis que SK Hynix détient 50 % et Micron 18 %.

L’entreprise envisage également de construire une nouvelle ligne de 2 nm pour la production de HBM5, la future génération dont les puces de base devraient également utiliser le procédé 2 nm. Cela pourrait renforcer l’intégration verticale de Samsung, en combinant la mémoire, la fabrication logique et l’emballage avancé.

Pression sur SK Hynix et Micron

Pour SK Hynix et Micron, la montée en puissance rapide de HBM4 par Samsung représente un nouveau défi concurrentiel, alors que les dépenses dans l’infrastructure AI font exploser la demande en mémoire à large bande passante à des niveaux inédits.

En juin de cette année, Samsung a été le premier fournisseur à achever la validation de HBM4 et à commencer les expéditions, tandis que SK Hynix faisait face à des retards de certification et Micron restait surtout concentré sur HBM3E.

Citi prévoit que la demande mondiale pour les bits HBM augmentera de 62 % l’an prochain, ce qui pourrait mettre l’industrie en situation de pénurie. Cela signifie que l’expansion des capacités de Samsung pourrait lui permettre de capter une part plus importante de ce marché en forte croissance.