Les médias sud-coréens rapportent que Samsung Electronics et SK Hynix pourraient retarder l’introduction de la technologie de liaison hybride HBM de nouvelle génération.
Selon Odaily et des médias sud-coréens, Samsung Electronics et SK Hynix réévaluent le calendrier d’adoption de la technologie de liaison hybride (Hybrid Bonding) pour la prochaine génération de mémoires à large bande passante (HBM). Étant donné que les exigences concernant la réduction de l’épaisseur et l’amélioration de la dissipation thermique pour HBM ont diminué, le marché anticipe un nouveau report de l’introduction de cette technologie par rapport aux prévisions initiales. Par ailleurs, les deux entreprises développent respectivement de nouvelles solutions de refroidissement telles que HPB et iHBM, qu’elles envisagent d’intégrer dans les produits HBM5. Toutefois, selon les experts du secteur, avec l’augmentation continue à l’avenir du nombre d’E/S HBM, la liaison hybride devrait rester une orientation technologique importante à moyen et long terme.
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