Se espera que la tecnología Hybrid Bonding de Samsung sea utilizada en el próximo acelerador de IA de NVIDIA, Feynman, cuyo chip contará con HBM personalizado.

BlockBeats News, 21 de julio: Samsung Electronics ha comenzado la construcción de la línea de producción en masa de unión híbrida Die-to-Wafer (D2W) en su planta Pyeongtaek P5, apuntando directamente al empaquetado avanzado de la próxima generación de HBM y semiconductores lógicos. El principal proveedor de equipos es Besi, con sede en los Países Bajos. Samsung planea adquirir unas 50 máquinas de unión híbrida, con un precio de aproximadamente 60 mil millones de won surcoreanos cada una (alrededor de 43 millones de dólares), el doble del precio de los productos de la competencia. Sin embargo, debido a las solicitudes de Samsung para modificaciones personalizadas en la arquitectura del equipo, el progreso de la negociación ha sido lento. Besi también suministra equipos a TSMC y Micron al mismo tiempo, por lo que son cautelosos respecto a personalizar las máquinas exclusivamente para Samsung.

Samsung también considera alternativas locales: su filial SEMES completó el desarrollo de máquinas de unión híbrida D2W y envió muestras para verificación a principios de este año; Hanwha Semitech finalizó el desarrollo de la segunda generación 'SHB2 Nano' en febrero y, en abril, envió muestras a SK hynix. Su sistema en clúster, que integra módulos EFEM, activación por plasma y limpieza, ha logrado una ventaja competitiva diferenciadora.

Esta tecnología utiliza unión híbrida de cobre para reemplazar la unión tradicional por termocompresión, permitiendo la unión directa del cobre al material dieléctrico y acortando de manera significativa la longitud de interconexión. El principal escenario de aplicación es para HBM personalizado, donde la capa de HBM DRAM se apila verticalmente sobre un die lógico que contiene los circuitos de cómputo e IP del cliente, formando así un paquete a nivel de sistema 3D.

El analista de Citrini, Jukan, afirmó que se espera que la unión híbrida sea utilizada en el próximo acelerador de IA de NVIDIA, Feynman, que adoptará HBM personalizado. El calendario de implementación de la tecnología se ha "retrasado respecto a HBM4E". Dentro de Samsung, se estima que la aplicación a gran escala podría lograrse alrededor de 2029 a 2030, alineándose con la ventana prevista para Feynman de NVIDIA.