Samsung Electronics planea construir una nueva fábrica de DRAM en Giheung, con una capacidad de producción mensual estimada de 100,000 obleas.

Según Odaily, el analista de Citrini, jukan, publicó en X que Samsung Electronics planea construir una nueva fábrica de obleas DRAM en su parque Giheung, convirtiendo el espacio originalmente destinado a un centro de investigación en una instalación de producción de memoria. Se estima que la capacidad mensual de la planta será de alrededor de 100 mil obleas y la inversión total podría alcanzar varias decenas de billones de won. Samsung Electronics ya ha formado un equipo interno para impulsar la construcción de la nueva fábrica, y la obra inicial podría comenzar ya en el tercer trimestre. Counterpoint Research prevé que, impulsado por el aumento de los precios de los productos, los ingresos del mercado mundial de DRAM crecerán desde los 150 mil millones de dólares de este año hasta llegar a un máximo de 210 mil millones de dólares. Samsung Electronics también está instalando una nueva línea de producción de capacidad mensual de 100 mil obleas en su fábrica P4 de Pyeongtaek, capaz de fabricar DRAM para HBM de sexta generación, es decir, HBM4, y planea construir una planta de obleas en el cluster de semiconductores de próxima generación de Yongin, provincia de Gyeonggi, con el objetivo de iniciar operaciones preliminares en 2029. Además, la compañía está avanzando en la construcción de dos plantas de semiconductores avanzadas en el cluster de Gwangju, Jeolla del Sur, con una inversión total de 400 mil millones de won.