La tasa de rendimiento del Samsung HBM4E ha superado el 70%, y la próxima generación de DRAM con tecnología D1d tiene como objetivo obtener la aprobación para preparación de producción en noviembre.
Según BlockBeats, el 1 de julio, Samsung Electronics, tras producir en masa el primer HBM4 (sexta generación) del mundo, está avanzando en el desarrollo de HBM4E (séptima generación) y de la próxima generación de DRAM. Song Jae-hyuk, CTO de la división DS de Samsung Electronics y director del Instituto de Investigación de Semiconductores, afirmó en una reunión interna celebrada el 30 de junio que la tasa de rendimiento de las pruebas de fiabilidad de HBM4E ya superó el 70%. En la industria, generalmente se considera que un rendimiento superior al 80% marca la transición a la etapa de “rendimiento maduro” estable del proceso; teniendo en cuenta que HBM4E aún se encuentra en fase de pruebas de fiabilidad, superar el 70% es una señal de que el desarrollo está entrando en una zona de mayor estabilidad.
En febrero de este año, Samsung Electronics fue el primero en producir en masa y enviar HBM4, y el 29 de mayo publicó las especificaciones técnicas detalladas del producto HBM4E de 12 capas, enviando muestras a sus principales clientes. HBM4 se utilizará en el acelerador de IA Vera Rubin que NVIDIA lanzará en la segunda mitad del año, mientras que se espera que HBM4E se utilice en productos como el próximo acelerador de IA Vera Rubin Ultra que NVIDIA lanzará el año que viene.
El desarrollo del proceso de DRAM de próxima generación de Samsung también avanza positivamente. Song Jae-hyuk considera que la competitividad tecnológica del proceso D1d es superior frente a sus rivales, y el desarrollo avanza con el objetivo de obtener la aprobación de preparación para producción en noviembre. D1d es el proceso central de DRAM que Samsung planea aplicar a partir de la próxima HBM5 (octava generación). Si el desarrollo se mantiene según lo planeado, tendrá un impacto positivo en la competitividad de la próxima generación de DRAM y productos posteriores a HBM5. (Fnnews)
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